Module IGBT

Fonctionnalité

• IGBT est un transistor MOSFET et bipolaire constitué d’un dispositif composite, l’entrée est extrêmement MOSFET, la sortie est un transistor extrêmement PNP, dont l’intégration de ces deux dispositifs est l’avantage.
• Avec un pilote de périphérique MOSFET de petite puissance et un avantage de vitesse de commutation de grande capacité, sa plage de réponse en fréquence et son transistor MOSFET de puissance, et est disponible pour fonctionner sur une gamme de fréquences de dizaines de kHz.